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Low temperature MOCVD PZT films having 50-nm-thickness for FeRAM applications 6th International Workshop on Oxide Electronics, U. of Maryland, USA, Dec. 6 1999
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DooYoung Yang, Cheol-Hoon Yang, Young-Ki Han, Chul-Ju Hwang, and Cheol Seong Hwang, Jaehoo Park MOCVD of (Ba,Sr)TiO3 using single source of Ba(methd)2, Sr(methd)2, and Ti(mpd)(thd)2 in a new warm wall reactor for larger wafer process MRS Fall Meeting, Boston, USA, Nov. 28 1999
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송재원, 박재후, 황철성 고집적 메모리소자를 위한 TiN & (Ti,Al)N 확산방지막의 산화거동 한국요업학회, 나주 동신대학교, 1999년 10월 22일 |
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권오성, 황철성, 홍석경 보호막 증착 후 열화된 FeRAM의 전기장 자극에 의한 회복 거동 한국요업학회, 나주 동신대학교, 1999년 10월 22일 |
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조영진, 이재빈, 황철성, 양철훈 Iom Beam Sputtering법으로 증착한 (Ba,Sr)TiO3박막의 유전 특성에 후속 열처리가 미치는 영향 한국요업학회, 나주 동신대학교, 1999년 10월 22일 |
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박재후, 황철성, 양두영, 양철훈, 김동현, 한영기, 황철주 저온 MOCVD로 증착한 (Ba,Sr)TiO3/Ru박막의 열처리 조건에 따른 산화 거동 한국요업학회, 나주 동신대학교, 1999년 10월 22일
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강상열, 최국현, 황철성, 석창길, 김형준 MOCVD법을 이용한 Ru 박막의 증착 및 특성 분석 한국진공학회, 제주대학교, 1999년 7월 3일
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강상열, 최국현, 황철성, 석창길, 김형준 MOCVD법을 이용한 Ru 박막의 증착 및 특성 분석 한국요업학회, 성균관대학교, 1999년 4월 23일
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