Hyung Jeung Kim, Ghenzi Nestor, Shihyun Kim, and Cheol Seong Hwang

Experimental Demonstration of Analog Multi-Level Operation in a 16×16 2T0C Array

제 33회 반도체학술대회, 강원도 하이원 그랜드호텔(컨벤션타워), 2026년 1월 28-30일, Poster

Chansoo Kwak, Heewon Paik, Sunoo Kim and Cheol Seong Hwang

BaTiO₃ Thin Films Grown by Atomic Layer Deposition Using a Seed Layer Process

제 33회 반도체학술대회, 강원도 하이원 그랜드호텔(컨벤션타워), 2026년 1월 28-30일, Poster

Jea Min Cho, Sunwoo Cheong and Cheol Seong Hwang 

제 33회 반도체학술대회, 강원도 하이원 그랜드호텔(컨벤션타워), 2026년 1월 28-30일, Poster

Dohyun Kim, Taeyoung Jeong, Seungjae Yoon, Yunjae Kim, Cheol Seong Hwang, and Jung-Hae Choi

Metal-to-Insulator Transition in Rutile-based Polytypes of MO₂ (M=V, Nb, Ta) by First-Principles Calculations

제 33회 반도체학술대회, 강원도 하이원 그랜드호텔(컨벤션타워), 2026년 1월 28-30일, Poster

Hyun Young Kim, and Cheol Seong Hwang

Impact of HfO2 back-channel resistive switching layer in scaled IGZO thin film transistors for parallel 1T-1R integration

제 33회 반도체학술대회, 강원도 하이원 그랜드호텔(컨벤션타워), 2026년 1월 28-30일, Poster

Jonghoon Shin, Tae Kyun Kim, Heewon Paik, Haewon Song and Cheol Seong Hwang*

High-Performance Dynamic Random Access Memory Capacitor with an Equivalent Oxide Thickness of 0.31 nm via Stepwise Cycling in Y-doped Hf_0.5Zr_0.5O₂ Thin Films

제 33회 반도체학술대회, 강원도 하이원 그랜드호텔 (컨벤션타워), 2026년 1월 28-30일, Oral

Hyun Min Kim, Kilhwa Pi and Cheol Seong Hwang

Enhancing Memory Window of Hf_0.5Zr_0.5O₂-based Ferroelectric Field-Effect Transistors by Controlling Ozone Dose Time in Atomic Layer Deposition

제 33회 반도체학술대회, 강원도 하이원 그랜드호텔(컨벤션타워), 2026년 1월 28-30일, poster 

Seong Jae Shin, Min Jong Kim, Cheol Seong Hwang^*

Variations in the Ferroelectric Properties of Hf_0.5Zr_0.5O₂ Depending on the Hafnium Nitride Electrode Conditions

제 33회 반도체학술대회, 강원도 하이원 그랜드호텔 (컨벤션타워), 2026년 1월 28-30일, Poster

Seong Jae Shin, Cheol Seong Hwang*

Wake-Up-Free Ferroelectricity in Ultrathin (5 nm) Hf_0.5Zr_0.5O₂ with Molybdenum Bottom Electrode

제 33회 반도체학술대회, 강원도 하이원 그랜드호텔 (컨벤션타워), 2026년 1월 28-30일, Poster