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4 황철성, 하만익
원자층 증착 공정을 이용한 칼코게나이드계 박막의 형성 방법, 이를 이용한 스위칭 소자의 형성 방법 및 메모리 소자의 제조 방법
대한민국, 10-2444272, 2022.09.13.
3 황철성
원자층 증착 공정을 이용한 칼코게나이드계 박막의 형성 방법, 이를 적용한 상변화 물질층의 형성 방법 및 상변화 메모리 소자의 제조 방법
대한민국, 10-2444266, 2022.09.13.
2 황철성, 임한진, 조규호, 강상열
캐패시터를 갖는 반도체 소자 및 그 형성 방법
미국, 11411069, 2022.08.09.
1 황철성, 조규호, 임한진, 강상열
캐패시터를 갖는 반도체 소자 및 그 형성 방법
대한민국, 10-2404060, 2022.05.26.