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Cheol Seong Hwang, Tae-Joo Park
Resistance memory element, phase change memory element, resistance random access memory device, information reading method thereof, phase change random access memory device, and information reading method thereof
미국, 8023318 B2, 2011.09.20. |
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황철성
루테늄 전극과 이산화티탄 유전막을 이용하는 반도체 소자의 캐패시터 및 그 제조 방법
일본, 4709115, 2011.03.25. |
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Cheol Seong Hwang Vertical nonvolatile memory device including a selective diode US, 08399874, 2011. 01. 17
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황철성, 엄태용
상변화 메모리 소자 및 이의 제조 방법 대한민국, 10-1264533, 2011. 07. 22
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황철성, 석준영 3차원 비휘발성 메모리 장치 및 이의 제조 방법 대한민국, 10-1297088, 2011. 06. 24
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황철성, 석준영 3차원 비휘발성 메모리 장치 및 이의 제조 방법 대한민국, 10-1331859, 2011. 06. 10
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황철성 비휘발성 메모리 소자 및 이의 제조 방법 대한민국, 10-1171874, 2011. 02. 25
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황철성, 최설, 엄태용 칼코제나이드계 박막 에칭방법 및 칼코제나이드계 박막 증착장치 클리닝 방법 한국, 10-1079634, 2011. 10. 28
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황철성, 석준영 저항 변화 램덤 액세스 메모리 및 저아 변화 랜덤 액세스 메모리의 정보 기록 방법과 정보 판독 방법 한국, 10-1079662, 2011. 10. 28 |
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황철성, 최설, 엄태용 칼코제나이드계 박막 증착방법 한국, 10-1071251 2011. 09. 30
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