황철성, 박태주

저항변화기록소자, 상전이기록소자, 저항변화 랜덤 액세스메모리와 그 정보판독방법 및 상전이 랜덤 액세스 메모리와 그 정보판독방법

대한민국, 10-1001304, 2010. 12. 08.

황철성, 김경민, 한정환

홀 구조를 갖는 커패시터 및 그 제조방법

대한민국, 10-1000280, 2010. 12. 06.

황철성

수직형 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법

대한민국, 10-0998256, 2010. 11. 29.

황철성, 김경민

저항변화기록소자 및 그 제조방법

대한민국, 10-0989180, 2010. 10. 14.

황철성

저항변화기록소자에 이용되는 스위칭 다이오드 및 이를 이용한 저항변화 기록소자와 저항변화 랜덤 액세스 메모리

대한민국, 10-0976424, 2010. 08. 11.

황철성, 서민하

반도체 소자의 커패시터 및 그 제조 방법

대한민국, 10-1116166, 2010. 07. 22.

황철성

박막형 다층 세라믹 커패시터 및 그 제조방법

대한민국, 10-0957763, 2010. 05. 06.

Nam Kyun Park, Hae Chan Park, Cheol Seong Hwang, Byung Joon Choi

Phase change memory device with reinforced adhesion force

미국, 07687795, 2010. 03. 30.