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ETRI, 차세대 PRAM 소자 개발
(대전=연합뉴스) 조성민 기자 = 플래시메모리를 대체할 차세대 비휘발성 메모리인 PRAM(Phash-change Random Access Memory) 소자의 고속 및 저소비 전력화 기술이 국내 기술진에 의해 개발됐다.
한국전자통신연구원(ETRI.원장 임주환) 기반기술연구소 기능성전자소자팀(팀장 유병곤)은 차세대 휘발성 메모리 개발사업의 일환으로 고집적도 및 플래시메모리의 비휘발성(전원이 꺼져도 저장된 내용이 보존되는 성질) 등의 장점을 갖춘 고속 및 저소비전력 특성을 가진 차세대 PRAM 소자를 개발했다고 13일 밝혔다.
소자개발에 사용된 재료는 안티몬(Sb)과 셀레늄(Se)이 혼합된 이원계 금속합금으로, 처리 속도가 종전에 비해 4배 빠른 반면 소비전력은 1/10으로 줄어드는 성능을 나타냈다.
PRAM은 소자의 집적화에 유리한 특성을 가지고 있어 최근 급속히 성장하고 있는 개인 휴대 단말 등 모바일 기기용 비휘발성 메모리 모듈을 빠르게 대체할 수 있을 것으로 전망된다.
특히 대용량의 고속 메모리 및 스마트 카드 등 관련 사업에 대한 파급효과도 클 것으로 기대된다.
이번 연구성과와 관련해 국내 특허 10건, 국제 특허 2건이 출원 중이며 연구 내용은 13-15일 일본 고베에서 개최되는 소자 및 재료에 관한 국제학회(SSDM 2005)에서 발표된다.
유병곤 박사는 "기존 재료 사용으로는 기가비트급 PRAM을 실현하는 데 한계가 있었으나 이번 신규 재료 사용으로 PRAM 소자의 고속 및 저소비전력이 가능하게 됐다"며 "256Mb급 시작품 연구를 진행 중인 국내외 관련 연구기관의 기술개발에 큰 도움을 줄 것"이라고 말했다.
min365@yna.co.kr
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