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세계 반도체업체들이 실리콘 대신 게르마늄.납.티타늄 등 '금속 화합물'을 사용한 반도체 기술을 잇따라 개발하고 있다.
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이에 따라 머지 않아 금속 화합물 메모리 반도체 시대가 열릴 것이라는 분석도 나오고 있다.
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삼성전자는 7일 플래시메모리 등 보다 데이터 처리속도가 1천배 가량 빠른 차세대 메모리반도체 'P램'의 기술개발에 성공했다고 7일 밝혔다.
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삼성전자는 P램(Phase change RAM)의 소재로 기존 실리콘 기술과 달리 '게르마늄 안티몬 텔룰라이드'라는 비휘발성 물질을 이용했다.
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이 제품은 기존 플래시메모리보다 속도와 내구성을 1천배 향상시킨 것이다. 상용화 될 경우 휴대전화 등에서 폭넓게 사용되고 있는 플래시메모리를 대체할 것으로 예상된다.
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현재 삼성전자와 인텔이 P램 기술 개발에 적극적이며 2005년께 상용화 될 전망이다.
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삼성전자와 하이닉스는 이에 앞서 'F램(강유전체 메모리)'기술을 개발했다. F램은 납.지르코늄.티타늄 등의 화합물을 사용해 만든 반도체다. 삼성전자는 지난해 10월 32M 기술을 이용한 4M급 F램 개발을 완료해 상용화 했으나 아직 시장규모는 크지 않은 상태다.
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하이닉스도 지난 3월 차세대 이동통신용에 적합한 F램 상용화 기술개발에 성공, 최근 상계관세 부과 등의 어려움을 극복하는 돌파구로 활용하겠다는 입장이다.
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국내기업 뿐만 아니라 램크론.후지쓰 등도 F램 기술 개발에 적극 나서며 두각을 나타내고 있는 것으로 알려졌다. 업계에 따르면 F램 시장은 지난해 6억5천만달러였던 것이 내년엔 33억8천만달러, 2008년엔 2백67억달러 규모로 성장할 것으로 예상된다.
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P램, F램과 함께 'M램(마그네틱 메모리)' 개발도 모토로라 등 외국계 기업을 중심으로 활발히 전개되고 있다. M램은 자성이 있는 금속물질을 이용한 것이다.
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삼성전자의 김기남 반도체연구소 차세대 연구팀장(상무)은 "F램은 현재 미미하나마 시장이 형성돼 있고 P램과 M램은 기술개발 단계이고 세 종류의 기술이 각각의 특성을 갖고 있기 때문에 어느 한 기술이 시장을 장악할 것으로 보지 않는다"면서"이 기술들은 당분간 '실리콘 기술'이 하지 못하는 분야에 활용되다가 2010년 이후가 돼야 실리콘 기술과 경쟁할 수 있을 것"이라고 말했다.
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실리콘 대신 GST와 PZT를 쓴다고 하다니....;;;
누가 보면 GST, PZT로 TR 만드는 줄 알겠네요..
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