서울대 연구팀, 메모리 저항 변화원리 규명 [한경닷컴] 황철성,김미영,한승우 서울대 재료공학부 교수연구팀은 수십 나노미터(nm) 두께의 이산화티타늄(TiO₂)에 적절한 전기신호를 가하면 저항이 변하면서 반도체와 같은 성질을 갖는 현상을 밝혀냈다고 18일 발표했다.이산화티타늄은 차세대 메모리 반도체 소자를 만드는데 각광받고 있는 소재다.연구팀은 TiO₂의 저항 변화는 부도체 내에서 수 나노미터 굵기를 갖는 도체선이 필라멘트 형태로 생성,소멸되는 과정이 반복되면서 생기는 현상임을 규명했다.디지털 기기에 많이 사용되는 메모리 반도체로 흔히 DRAM과 플래시 메모리가 손꼽힌다.이 메모리 장치들은작게 만들수록 집적도가 떨어져 성능이 저하되는 단점을 갖고 있다.황철성 교수는 “저항의 변화에 따라 데이터를 기록하는 RAM을 만들게 되면 극초소형의 메모리 반도체를 갖고도 성능을 획기적으로 높일 수 있게 된다”며 “DRAM 반도체의 크기가 작아지더라도 충분한 집적도를 가질 수 있는 가능성을 보여준 것”이라고 설명했다.한편 이번 연구결과는 나노분야 권위지인 네이처 나노테크놀로지 17일자 온라인판에 실렸다.임기훈 기자  shagger@hankyung.com
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